• SD23M101

    工作电压

    高压模式6.5~40V
    低压模式4.5~5.5V

    高压模式6.5~40V
    低压模式4.5~5.5V

    工作电流

    2.5mA

    2.5mA

    ROM

    32k Bytes MTP

    32k Bytes MTP

    SRAM

    2k Bytes

    2k Bytes

    封装

    QFN32

    QFN32
    芯片描述

       SD23M101高度集成,,,,用于阻式或电压型传感器,,,,如扩散硅、、陶瓷、、、、单晶硅等压力传感器信号调理及变送输出芯片。。。片内集成高压电源模块,,24位主信号测量ADC,,,24位温度测量ADC,,仪表放大器,,,恒流源、、恒压源激励,,,,支持OWI等数字接口,,,支持4-20mA、、0-5V、、、、0-10V变送输出。。。。高度集成,,使用很少的外围器件,,即可实现方案与调试工作。。。。内置高压电源模块,,允许最高40V的电压输入芯片,,,,0-10V输出模式电路更简单。。。。内置多种传感器校准算法,,,如3P3T、、5P5T、、7P7T,,,,校准参数保存在芯片内部的EEPROM中。。内置温补算法,,,,使得方案的整体温漂更小。。


    芯片特点
    • 内置24bits ADC1,,包含1~256倍增益的低噪声PGA,,,,外部单差分输入通道

    • 内置24bits ADC 2,,,支持1、、2、、、、4、、、、8和16倍增益,,,,外部单差分输入通道或两单端 输入通道,,可切换至内部温度传感器输入通道

    • 内置高精度16bits DAC支持4~20mA、、、、0-5V、、、0-10V输出

    • 内置一路低温漂电压激励源,,激励电压可选为2.5V和4V

    • 内置两路电流激励源,,激励电流100μA、、、250μA、、、、500μA和750μA可选

    • 内置高线性度的温度传感器

    • 内置低温漂基准,,,,温漂典型值为5ppm℃,,,,最大值为10ppm/℃

    • 多种ODR设置,,,,可对50/60Hz的干扰及其谐波同时产生抑制

    • 内置压力传感器校准算法,,,3P3T、、5P5T、、7P7T

    • OWI通信,,,可借助4-20mA环路通信

    • 工作电压范围:内置高压电源管理模块,,,支持6.5~40V宽电压供电

    • 工作温度范围:-40~150℃

    芯片框图
    应用领域

    流量计

    温度变送器

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